ОЗУ (оперативное запоминающее устройство) является ключевым компонентом компьютеров и основной памятью для временного хранения данных и программ во время их выполнения. Узнайте, какой объем ОЗУ рекомендуется в 2023 году для обеспечения оптимальной производительности и поддержки современных приложений и технологий. Рекомендации включают диапазон от 8 до 32 ГБ ОЗУ в зависимости от типа задач и потребностей пользователей.
ОЗУ (оперативное запоминающее устройство) является одной из ключевых компонент компьютеров и является основной памятью, используемой для временного хранения данных и программ во время их выполнения. Большинство современных компьютеров используют модули динамической памяти (DRAM) в качестве ОЗУ.
Динамическая память (DRAM)
DRAM представляет собой модули динамической памяти, содержащие полупроводниковые интегральные схемы, организованные по принципу устройств с произвольным доступом. Этот вид памяти является экономичным, так как его плотность выше, а стоимость ниже по сравнению со статической памятью (SRAM). Однако, DRAM имеет некоторые недостатки, такие как более низкое быстродействие и потребность в периодической регенерации заряда конденсаторов, чтобы сохранить данные.
Основной принцип работы DRAM заключается в использовании конденсаторов для хранения данных. Каждый бит данных хранится в отдельном конденсаторе, и чтобы сохранить содержимое памяти, заряд конденсаторов периодически восстанавливается через цикл регенерации. В современных микросхемах памяти этот цикл регенерации не должен превышать 2 мс.
Рост требований к ОЗУ
В 2023 году ожидается дальнейший рост требований к ОЗУ. Современные приложения и операционные системы становятся все более ресурсоемкими, требуя больше оперативной памяти для эффективной работы. Компьютеры используются для обработки больших объемов данных, запуска сложных программ и игр, виртуализации и других задач, требующих большого объема ОЗУ.
Также, с появлением новых технологий и стандартов, таких как искусственный интеллект, машинное обучение, виртуальная и дополненная реальность, требования к ОЗУ будут продолжать расти. Эти технологии требуют большого объема памяти для обработки и хранения больших данных, а также для поддержки высокой производительности и отзывчивости.
См. также
Рекомендации по объему ОЗУ
Для обеспечения оптимальной производительности и удовлетворения потребностей современных приложений и технологий, рекомендуется увеличить объем ОЗУ в компьютерах в 2023 году. В зависимости от конкретных потребностей и типа задач, следующие рекомендации могут быть полезны:
- Для повседневных задач, таких как веб-серфинг, использование офисных приложений и просмотр мультимедийного контента, рекомендуется 8-16 ГБ ОЗУ.
- Для запуска средних программ, многозадачности, обработки больших объемов данных и игр среднего уровня сложности, рекомендуется 16-32 ГБ ОЗУ.
- Для запуска сложных программ, виртуализации, машинного обучения, обработки больших объемов данных и игр высокого уровня сложности, рекомендуется 32 ГБ ОЗУ и более.
Заключение
В 2023 году ожидается дальнейший рост требований к ОЗУ в связи с растущими потребностями современных приложений и технологий. Увеличение объема ОЗУ в компьютерах позволит обеспечить оптимальную производительность и эффективность работы, а также поддерживать новые технологии и стандарты. Рекомендуется установка ОЗУ в диапазоне от 8 до 32 ГБ в зависимости от типа задач и потребностей пользователей.
Что нам скажет Википедия?
ОЗУ большинства современных компьютеров представляет собой модули динамической памяти, содержащие полупроводниковые интегральные схемы, организованные по принципу устройств с произвольным доступом. Память динамического типа дешевле, чем статического, и её плотность выше, что позволяет на той же площади кремниевого кристалла разместить больше ячеек памяти, но при этом её быстродействие ниже. Статическая память, наоборот, более быстрая память, но она и дороже. В связи с этим основную оперативную память строят на модулях динамической памяти, а память статического типа используется для построения кэш-памяти внутри микропроцессора.
Основная статья: DRAM
Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариантах два конденсатора). Такой вид памяти, во-первых, дешевле (один конденсатор и один транзистор на 1 бит дешевле нескольких транзисторов входящих в триггер), и, во-вторых, занимает меньшую площадь на кристалле, там, где в SRAM размещается один триггер, хранящий 1 бит, можно разместить несколько конденсаторов и транзисторов для хранения нескольких бит.
DRAM имеет определённые недостатки. Во-первых, работает медленнее, поскольку, если в SRAM изменение управляющего напряжения на входе триггера сразу очень быстро изменяет его состояние, то для того, чтобы изменить состояние конденсатора, его нужно зарядить или разрядить. Перезаряд конденсатора гораздо более длителен (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если ёмкость конденсатора очень мала. Второй существенный недостаток — конденсаторы со временем разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их электрическая ёмкость и больше ток утечки, в основном, это утечка через ключ.
Именно из-за того, что заряд конденсатора постепенно уменьшается во времени, память на конденсаторах получила своё название DRAM — динамическая память. Поэтому, дабы не потерять содержимое памяти, величина заряда конденсаторов периодически восстанавливается («регенерируется») через определённое время, называемое циклом регенерации, для современных микросхем памяти это время не должно превышать 2 мс. Для регенерации в современных микросхемах достаточно выполнить циклограмму чтения по всем строкам запоминающей матрицы. Процедуру регенерации выполняет процессор или контроллер памяти. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливается обращение к памяти, это снижает среднюю скорость обмена с этим видом ОЗУ.
